GA1206A1R2DXCBP31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和高击穿电压等特性,适用于 DC-DC 转换器、无线充电、激光雷达以及电机驱动等领域。
由于其卓越的性能,GA1206A1R2DXCBP31G 在提升系统效率和减小体积方面表现出色,同时支持更高的工作频率,能够有效降低磁性元件的尺寸和成本。
型号:GA1206A1R2DXCBP31G
类型:增强型功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
导通电阻:40 mΩ
漏源极耐压:650 V
最大漏极电流:12 A
栅极阈值电压:2.5 V
开关频率:高达 5 MHz
封装形式:DFN8
GA1206A1R2DXCBP31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高整体效率。
2. 高击穿电压(650V)使其适合高压应用场景。
3. 快速开关能力,支持高频操作,从而减少无源元件的体积。
4. 内置 ESD 保护电路,增强器件的抗静电能力。
5. 热性能优越,有助于实现高效的热管理。
6. 先进的 DFN8 封装技术,提供更小的占位面积和更低的寄生电感。
7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特点使 GA1206A1R2DXCBP31G 成为现代电源管理系统中的理想选择。
GA1206A1R2DXCBP31G 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器,用于服务器、通信设备和消费电子产品。
2. 快速充电器和适配器,支持 USB-PD 协议。
3. 激光雷达系统,满足高精度和快速响应的需求。
4. 无线充电解决方案,提供更高功率和效率。
5. 电机驱动和逆变器,用于工业自动化和电动车。
6. 可再生能源转换器,例如太阳能微逆变器。
该器件的高频和高效特性使其在这些应用中表现优异。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TX GaN65R150K