时间：2025/5/12 19:02:48
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GA1206A1R2DXCBC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于电源管理、电机驱动以及各类功率转换应用中。
其封装形式为 DFN8，能够有效提升散热性能并减少寄生电感对高频开关的影响。
型号：GA1206A1R2DXCBC31G
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：14A
栅极电荷（Qg）：29nC
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
总功耗（Ptot）：1.4W
工作温度范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
封装：DFN8
这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和低栅极电荷 (Qg)，这使其在高频开关应用中表现出色，并能显著降低传导损耗和开关损耗。
此外，它还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较高的结温下保持稳定的性能表现。
由于采用了 DFN8 封装，该器件体积小巧，非常适合空间受限的设计环境，同时也能满足表面贴装技术（SMT）的需求。
GA1206A1R2DXCBC31G 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- DC/DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 汽车电子系统中的负载开关
- 工业自动化设备中的电机驱动
- 笔记本电脑及平板充电适配器
该器件因其高效和可靠的特点，在消费电子、工业控制和汽车电子领域均有广泛应用。
GA1206A1R2DXCBC30G, IPD110P06N1LH
