时间：2025/6/30 14:18:21
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GA1206A1R2BBLBR31G 是一款由 GeneSiC 半导体公司生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片。该芯片基于先进的 SiC 技术制造，具有高效率、高开关频率和耐高温的特性，适用于工业级和汽车级应用中的功率转换系统。
这款器件采用 TO-247 封装形式，适合表面贴装或通孔安装，并具备低导通电阻和快速开关性能，使其成为高性能电源管理的理想选择。
最大电压：1200V
连续漏极电流：18A
导通电阻：6.5mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GA1206A1R2BBLBR31G 的主要特性包括出色的热稳定性、低开关损耗以及增强的耐用性。它能够承受高达 1200V 的阻断电压，同时保持较低的导通电阻，从而降低功率损耗。
此外，其快速开关能力使得它可以应用于高频场景中，减少对大型无源元件的需求，进一步缩小整体设计体积。
碳化硅材料赋予了该芯片更高的效率和更强的抗电磁干扰能力，在极端环境下依然可以保持稳定的性能表现。
该芯片广泛用于太阳能逆变器、电动汽车充电桩、电机驱动器、不间断电源（UPS）、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场合。
由于其能够在高温条件下可靠运行，因此非常适合用在车载电子系统和工业自动化设备中，满足严苛的工作环境要求。
GA1206A1R2BBKBR31G, GA1206A1R2BBMBR31G
