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GA1206A1R2BBCBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 14:52:11 查看 阅读:10

GA1206A1R2BBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  其封装形式为贴片式设计,适用于高密度电路板布局,同时具备良好的散热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A1R2BBCBR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(1.2mΩ),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高可靠性设计,能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。
  4. 小型化封装,节省 PCB 空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应多种工业和消费类应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 汽车电子系统
  5. 工业自动化设备
  6. 通信电源模块
  由于其高效能和高可靠性,GA1206A1R2BBCBR31G 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRF3710,
  STP150N06,
  FDP150AN6,
  AON6810

GA1206A1R2BBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-