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GA1206A1R0CXCBP31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:56:44 查看 阅读:9

GA1206A1R0CXCBP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  其封装形式为行业标准的小型化封装,有助于节省 PCB 空间并提高功率密度。此外,该器件具备良好的电气特性和可靠性,适用于需要高效能和高稳定性的应用场景。

参数

型号:GA1206A1R0CXCBP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.0mΩ
  Id(持续漏极电流):150A
  Qg(栅极电荷):45nC
  Bvdss(击穿电压):60V
  EAS(雪崩能量):2.5J
  封装:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A1R0CXCBP31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗,从而提升系统效率。
  2. 高额定电流能力(Id),使其能够适应大功率应用需求。
  3. 快速开关性能,支持高频工作场景,减少开关损耗。
  4. 高击穿电压(Bvdss)确保了在高压环境下的可靠运行。
  5. 小型化封装设计,适合高功率密度的应用场合。
  6. 支持宽温度范围操作,能够在极端环境下保持稳定性能。
  7. 内置保护功能,增强了器件的耐用性和安全性。
  这些特性使得 GA1206A1R0CXCBP31G 成为众多工业及消费电子领域中的理想选择。

应用

GA1206A1R0CXCBP31G 的主要应用领域包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 负载开关和保护电路中的核心组件。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。
  6. 汽车电子中的各类功率转换和驱动应用。
  7. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  凭借其卓越的性能和可靠性,该器件能够满足多种复杂应用的需求。

替代型号

GA1206A1R0CXCBP31H, IRF3710, FDP5500NL

GA1206A1R0CXCBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-