您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A1R0BBCBT31G

GA1206A1R0BBCBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:55:57 查看 阅读:7

GA1206A1R0BBCBT31G 是一款由 Globalfoundries 生产的高性能射频 (RF) 功率放大器芯片,广泛应用于通信设备、无线网络基础设施等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有高增益、低噪声和出色的线性度等特性,适合需要稳定射频信号放大的场景。
  这款功率放大器在设计上优化了效率与输出功率之间的平衡,能够在高频段提供稳定的性能表现,同时具备良好的热管理和可靠性,确保其在各种复杂环境下的长期使用。

参数

工作频率范围:3.4GHz-3.6GHz
  输出功率:30dBm
  增益:15dB
  电源电压:5V
  静态电流:300mA
  封装形式:QFN32
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1206A1R0BBCBT31G 的主要特性包括:
  1. 高效率:在额定输出功率下,芯片效率可达到 40% 以上。
  2. 线性度优异:通过内部集成的预失真技术,能够显著降低信号失真。
  3. 小型化设计:采用紧凑型 QFN32 封装,节省电路板空间。
  4. 内置匹配网络:减少外部元件需求,简化设计流程。
  5. 热管理能力:内置温度监控功能,保护芯片免受过热影响。
  6. 宽带支持:覆盖从 3.4GHz 到 3.6GHz 的高频段应用,适应多种无线通信标准。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 无线基站:用于 LTE 和 5G NR 基站的射频功率放大。
  2. Wi-Fi 设备:支持高性能 Wi-Fi 路由器和接入点。
  3. 微波回传系统:为远程数据传输提供稳定可靠的射频信号放大。
  4. 工业无线通信:满足工业物联网 (IIoT) 中对高效射频放大的需求。
  5. 军用及航空航天:因其高可靠性和稳定性,在特殊环境下也能正常运行。

替代型号

GA1206A1R0BBCBT31F, GA1207A1R0BBCBT31G

GA1206A1R0BBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-