GA1206A182FXCBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,其设计旨在降低功耗并提高系统可靠性。它支持较高的工作电压和较大的电流容量,同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷特性。
类型:MOSFET
封装:TO-247-3
最大漏源电压(Vds):1200V
最大连续漏极电流(Id):182A
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷(Qg):150nC
反向恢复时间(trr):95ns
GA1206A182FXCBR31G 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:能够承受高达 1200V 的漏源电压,适用于高压应用环境。
2. 大电流承载能力:额定连续漏极电流高达 182A,适合大功率系统。
3. 低导通电阻:在典型条件下导通电阻仅为 5.5mΩ,有助于减少传导损耗。
4. 快速开关性能:具备低栅极电荷和短反向恢复时间,可实现高效的高频开关操作。
5. 强大的散热性能:采用 TO-247-3 封装,提供良好的热管理和机械稳定性。
6. 可靠性高:通过严格的测试和筛选流程,确保长期使用的稳定性。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器
- 不间断电源 (UPS)
2. 电机驱动:
- 电动车和电动工具中的无刷直流电机控制
- 工业自动化设备中的伺服电机驱动
3. 新能源:
- 光伏逆变器
- 储能系统
4. 其他高功率电子设备:
- 固态继电器
- 高压负载切换模块
GA1206A182FXCBR21G
IRGB140D1L6
FCH18N120TB
CSC18N120Q3