时间：2025/5/24 13:19:12
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GA1206A182FXCBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列，其设计旨在降低功耗并提高系统可靠性。它支持较高的工作电压和较大的电流容量，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷特性。
类型：MOSFET
封装：TO-247-3
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大连续漏极电流(Id)：182A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷(Qg)：150nC
反向恢复时间(trr)：95ns
GA1206A182FXCBR31G 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达 1200V 的漏源电压，适用于高压应用环境。
2. 大电流承载能力：额定连续漏极电流高达 182A，适合大功率系统。
3. 低导通电阻：在典型条件下导通电阻仅为 5.5mΩ，有助于减少传导损耗。
4. 快速开关性能：具备低栅极电荷和短反向恢复时间，可实现高效的高频开关操作。
5. 强大的散热性能：采用 TO-247-3 封装，提供良好的热管理和机械稳定性。
6. 可靠性高：通过严格的测试和筛选流程，确保长期使用的稳定性。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器
- 不间断电源 (UPS)
2. 电机驱动：
- 电动车和电动工具中的无刷直流电机控制
- 工业自动化设备中的伺服电机驱动
3. 新能源：
- 光伏逆变器
- 储能系统
4. 其他高功率电子设备：
- 固态继电器
- 高压负载切换模块
GA1206A182FXCBR21G
IRGB140D1L6
FCH18N120TB
CSC18N120Q3
