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GA1206A182FXCBR31G 发布时间 时间:2025/5/24 13:19:12 查看 阅读:14

GA1206A182FXCBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,其设计旨在降低功耗并提高系统可靠性。它支持较高的工作电压和较大的电流容量,同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷特性。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-247-3
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大连续漏极电流(Id):182A
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总栅极电荷(Qg):150nC
  反向恢复时间(trr):95ns

特性

GA1206A182FXCBR31G 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:能够承受高达 1200V 的漏源电压,适用于高压应用环境。
  2. 大电流承载能力:额定连续漏极电流高达 182A,适合大功率系统。
  3. 低导通电阻:在典型条件下导通电阻仅为 5.5mΩ,有助于减少传导损耗。
  4. 快速开关性能:具备低栅极电荷和短反向恢复时间,可实现高效的高频开关操作。
  5. 强大的散热性能:采用 TO-247-3 封装,提供良好的热管理和机械稳定性。
  6. 可靠性高:通过严格的测试和筛选流程,确保长期使用的稳定性。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器
   - 不间断电源 (UPS)
  2. 电机驱动:
   - 电动车和电动工具中的无刷直流电机控制
   - 工业自动化设备中的伺服电机驱动
  3. 新能源:
   - 光伏逆变器
   - 储能系统
  4. 其他高功率电子设备:
   - 固态继电器
   - 高压负载切换模块

替代型号

GA1206A182FXCBR21G
  IRGB140D1L6
  FCH18N120TB
  CSC18N120Q3

GA1206A182FXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-