时间：2025/6/16 13:32:05
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GA1206A182FBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
此型号属于沟道型 MOSFET，其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡，能够显著降低功率损耗并提高系统的整体效率。
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vdss)：120V
连续漏极电流(Id)：64A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：1980pF
输出电容(Coss)：36pF
反向恢复时间(trr)：50ns
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：D2PAK-7
GA1206A182FBCBR31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 1.8 毫欧，有助于减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，得益于其较小的栅极电荷和较低的输出电容，适合高频应用。
3. 高额定漏极电流 (Id)，允许更大的负载能力，并减少对并联器件的需求。
4. 耐高温性能，支持最高结温达 175°C，确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 小巧且坚固的 D2PAK-7 封装，提供良好的散热性能和机械稳定性。
6. 内置防静电保护功能，提高了生产过程中的抗干扰能力。
这些特性使 GA1206A182FBCBR31G 成为高效功率转换电路的理想选择。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器，用于提升能源转换效率。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 太阳能逆变器和电动汽车充电系统中的功率管理。
5. LED 照明驱动器以实现精确的电流调节。
由于其出色的电气特性和热性能，GA1206A182FBCBR31G 在多种功率电子应用中表现出卓越的性能。
GA1206A182FBCBR31T, IRFZ44N, FDP15U60A
