时间：2025/6/17 8:51:10
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GA1206A181GBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻和快速开关特性，从而有效降低功耗并提高系统效率。
其封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合在高密度设计中使用。这款芯片特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
总栅极电荷(Qg)：39nC
输入电容(Ciss)：3290pF
输出电容(Coss)：1070pF
反向传输电容(Crss)：140pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，能够适应高频应用需求。
3. 高额定电流能力，支持大功率应用。
4. 热稳定性强，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
5. 小型化封装，节省电路板空间。
6. 内置 ESD 保护功能，增强抗静电能力。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC 转换器
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 工业自动化设备中的功率控制
6. 汽车电子系统的负载开关
7. 通信电源模块
8. 太阳能逆变器
IRFZ44N
FDP16N60
STP45NF06L
