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GA1206A121KXEBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:02:26 查看 阅读:6

GA1206A121KXEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率切换的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,也具有较低的栅极电荷和快速的开关速度。
  这款功率MOSFET具有优异的热性能和高可靠性,适用于各种工业和消费类电子设备。其封装形式和引脚设计使其非常适合表面贴装工艺,从而提升了生产效率并降低了制造成本。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  栅极电荷(Qg):55nC
  开关时间:开通时间(t_on)=37ns,关断时间(t_off)=28ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1206A121KXEBT31G具备卓越的电气性能和稳定性,其主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗。
  3. 高额定电流能力(Id),支持大功率应用。
  4. 具有较高的雪崩击穿能量(EAS)和热稳定性,确保在恶劣条件下也能可靠运行。
  5. 小型化的封装设计,便于实现高密度电路板布局。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料使用。
  这些特性使得该器件成为众多电力电子应用的理想选择。

应用

GA1206A121KXEBT31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  6. 汽车电子系统中的功率管理模块。
  由于其出色的性能,该器件能够在各类高压、大电流场合中提供稳定且高效的功率转换解决方案。

替代型号

GA1206A121KXEBT32G, IRF2807ZPBF, FDP16N60

GA1206A121KXEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-