GA1206A121KXBBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽式工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有较高的电流处理能力和良好的散热特性,适用于工业级和消费级应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:120A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:95nC
输入电容:4000pF
开关时间:ton=75ns, toff=45ns
结温范围:-55℃ 至 +175℃
这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
此外,它还具备高电流承载能力以及快速开关性能,这使得它非常适合高频开关应用。
GA1206A121KXBBR31G 的封装设计提供了优异的散热性能,可以有效提升器件在高负载条件下的稳定性。
同时,该器件还支持宽范围的工作温度,从而适应各种严苛环境下的使用需求。
该元器件广泛用于 DC-DC 转换器、AC-DC 开关电源、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器、电动车控制器、电机驱动电路等领域。
由于其出色的电气特性和可靠性,GA1206A121KXBBR31G 成为了许多大功率电子设备的理想选择。
IRF7845, FDP150N06L, STP120NF06