时间：2025/5/30 14:46:38
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GA1206A121KXBBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有较高的电流处理能力和良好的散热特性，适用于工业级和消费级应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：4000pF
开关时间：ton=75ns, toff=45ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
此外，它还具备高电流承载能力以及快速开关性能，这使得它非常适合高频开关应用。
GA1206A121KXBBR31G 的封装设计提供了优异的散热性能，可以有效提升器件在高负载条件下的稳定性。
同时，该器件还支持宽范围的工作温度，从而适应各种严苛环境下的使用需求。
该元器件广泛用于 DC-DC 转换器、AC-DC 开关电源、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器、电动车控制器、电机驱动电路等领域。
由于其出色的电气特性和可靠性，GA1206A121KXBBR31G 成为了许多大功率电子设备的理想选择。
IRF7845, FDP150N06L, STP120NF06
