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GA1206A121KBEBR31G 发布时间 时间:2025/6/6 12:10:28 查看 阅读:5

GA1206A121KBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,适合自动化生产流程。

参数

型号:GA1206A121KBEBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅极驱动电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  总功耗(Ptot):240W
  工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206A121KBEBR31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场合。
  3. 快速开关性能,有助于提高系统效率并降低电磁干扰(EMI)。
  4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 优化的热设计,提升了散热性能。

应用

这款MOSFET广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  5. 新能源领域如太阳能逆变器和电动车充电系统的功率管理模块。

替代型号

IRFP2907ZPBF, STP120N06Z, FDP18N06L

GA1206A121KBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-