时间：2025/6/29 11:31:27
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GA1206A121GBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关和高效功率转换应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低功耗。
此芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效率和低损耗的功率管理场景中。
型号：GA1206A121GBEBT31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：120V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：60A
导通电阻Rds(on)：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷Qg：90nC
输入电容Ciss：2500pF
输出电容Coss：70pF
反向恢复时间Trr：45ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效减少传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适用于现代高效功率转换需求。
3. 高雪崩能力，可承受短时间内的过压冲击。
4. 紧凑的封装形式，节省PCB空间。
5. 具备出色的热稳定性，确保在高温环境下长期可靠运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
7. 提供优异的EMI控制特性，减少电磁干扰对系统的影响。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关功率转换设备。
6. 各种DC-DC转换器和AC-DC转换器的设计与实现。
GA1206A121GBEBT31G-A, IRFZ44N, FDP18N12E
