GA1206A120KXABP31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,属于沟道型MOSFET系列。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。这款芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频应用中提供出色的效率和性能表现。
该器件封装形式为行业标准封装之一,能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体系统性能。
型号:GA1206A120KXABP31G
类型:N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):120V
连续漏极电流(Id):65A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):85nC(典型值)
输入电容(Ciss):2500pF(典型值)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247-3L
GA1206A120KXABP31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用,适合现代高效能设计需求。
3. 较高的漏源极击穿电压(Vds),增强了其在高压环境下的可靠性和稳定性。
4. 小巧且高效的封装形式,减少了寄生参数影响,提高了散热性能。
5. 良好的热稳定性及宽广的工作温度范围,使其适用于恶劣环境条件下的使用。
6. 提供优异的EMI性能,能够降低电磁干扰,满足严格的设计规范要求。
7. 符合RoHS环保标准,确保对环境的影响最小化。
GA1206A120KXABP31G 的典型应用场景包括:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的桥 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电力管理系统。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
GA1206A120KXABP31J, IRFP260N, FDP150AN12B