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GA1206A120KXABP31G 发布时间 时间:2025/5/12 16:06:56 查看 阅读:19

GA1206A120KXABP31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,属于沟道型MOSFET系列。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。这款芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频应用中提供出色的效率和性能表现。
  该器件封装形式为行业标准封装之一,能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体系统性能。

参数

型号:GA1206A120KXABP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):65A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):85nC(典型值)
  输入电容(Ciss):2500pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA1206A120KXABP31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,适合现代高效能设计需求。
  3. 较高的漏源极击穿电压(Vds),增强了其在高压环境下的可靠性和稳定性。
  4. 小巧且高效的封装形式,减少了寄生参数影响,提高了散热性能。
  5. 良好的热稳定性及宽广的工作温度范围,使其适用于恶劣环境条件下的使用。
  6. 提供优异的EMI性能,能够降低电磁干扰,满足严格的设计规范要求。
  7. 符合RoHS环保标准,确保对环境的影响最小化。

应用

GA1206A120KXABP31G 的典型应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的桥 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。
  5. 各类负载开关和保护电路。
  6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电力管理系统。
  7. 工业自动化设备中的功率控制单元。

替代型号

GA1206A120KXABP31J, IRFP260N, FDP150AN12B

GA1206A120KXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容12 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-