时间：2025/5/28 10:00:20
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GA1206A120KBEBT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率器件，主要用于高效率、高频开关电源应用。该型号采用了先进的封装工艺和增强型 GaN 场效应晶体管技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压的特点。这种器件广泛适用于数据中心、电动汽车、工业设备及消费电子等领域的高效能电力转换系统。
作为第三代半导体材料的代表，GaN 器件能够显著提升功率密度并降低能量损耗，同时其高频特性允许设计更小体积的变压器和其他无源元件，从而实现更紧凑的系统设计。
额定电压：650V
额定电流：120A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：5ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 采用氮化镓技术，提供卓越的高频性能和低导通损耗。
2. 内置保护功能，包括过温保护和短路保护，增强了器件可靠性。
3. 超低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
4. 小尺寸封装设计，适合空间受限的应用场景。
5. 高速开关能力支持更高的工作频率，减少磁性元件的尺寸和重量。
6. 宽广的工作温度范围适应各种严苛环境下的使用需求。
1. 数据中心服务器电源
2. 电动汽车车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器
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