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GA1206A101KXCBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:24:52 查看 阅读:6

GA1206A101KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统效率并降低能耗。
  其封装形式为TO-247,具备优良的散热性能,适用于高功率密度的设计需求。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:100mΩ
  栅极电荷:65nC
  开关时间:ton=80ns,toff=45ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206A101KXCBR31G 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻设计,可有效减少导通损耗,提高整体能效。
  2. 快速开关能力,有助于降低开关损耗,并支持高频操作。
  3. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了性能表现,尤其在硬开关应用中表现优异。
  5. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下保持正常运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色能源解决方案。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器、充电器等。
  2. 各类电机驱动器,例如工业自动化设备中的伺服电机控制。
  3. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)与DC-DC转换器。
  5. 不间断电源(UPS)以及应急照明系统中的关键组件。

替代型号

IRFP260N, STP12NK65Z, FDP18N65B

GA1206A101KXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-