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GA1206A101FXEBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 10:01:10 查看 阅读:6

GA1206A101FXEBR31G 是一款由知名半导体制造商推出的高性能功率MOSFET芯片。该型号属于GaAs(砷化镓)基底的增强型场效应晶体管,广泛应用于高频、高效率的开关电路中。其设计主要针对射频功率放大器和直流-直流转换器等应用领域,具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性。

参数

类型:功率MOSFET
  材料:砷化镓 (GaAs)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):25nC
  开关时间:开启时间 15ns,关闭时间 18ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206A101FXEBR31G 具备卓越的电气性能,能够在高频条件下提供高效的功率转换。该芯片采用先进的砷化镓制造工艺,使其在高频环境下表现出较低的寄生电感和电容,从而显著提升整体系统效率。
  此外,该器件还具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻,能够减少传导损耗,适用于大电流应用场景。
  2. 快速开关能力,适合高频开关电源及射频功率放大器。
  3. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  4. 高度集成的设计,有助于简化电路布局并降低整体系统成本。
  由于其出色的性能表现,这款 MOSFET 在需要高效能量转换和快速动态响应的应用中非常受欢迎。

应用

GA1206A101FXEBR31G 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 射频功率放大器:凭借其高频特性和低导通电阻,该芯片非常适合用于通信设备中的功率放大模块。
  2. 直流-直流转换器:其快速开关能力和低功耗特性使其成为开关电源的理想选择。
  3. 电机驱动:在工业自动化领域,该芯片可用于控制各种类型的电机,提供精确的速度调节和方向控制。
  4. 太阳能逆变器:利用其高效的能量转换能力,可以优化太阳能发电系统的输出效率。
  5. 电动汽车充电器:为电动车电池充电提供稳定且高效的电源管理方案。
  通过结合其高性能和多功能性,GA1206A101FXEBR31G 成为了众多电子设计工程师的首选功率元件。

替代型号

GA1206A101FXEBR32G, GA1206A101FXEBR33G

GA1206A101FXEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-