GA1206A100JXABC31G 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
其封装形式为 TO-247,适合大功率应用场合,并且具有出色的散热性能。这款 MOSFET 通常用作开关或放大元件,在各种电力电子设备中发挥重要作用。
型号:GA1206A100JXABC31G
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):100mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):150W
工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
封装:TO-247
GA1206A100JXABC31G 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 1200V,适用于高压环境下的开关和调节应用。
2. 超低导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 的条件下仅为 100mΩ,有效降低传导损耗,提升系统效率。
3. 快速开关性能,具备较低的输入电容和输出电荷,支持高频操作。
4. 热稳定性好,能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温范围内可靠工作。
5. 提供卓越的 ESD 和雪崩保护能力,增强器件的鲁棒性。
6. 封装形式为 TO-247,便于安装并提供良好的散热条件。
这些特性使得 GA1206A100JXABC31G 成为高压电源转换器、逆变器以及电机驱动等应用的理想选择。
GA1206A100JXABC31G 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器和车载充电器。
5. 不间断电源(UPS)系统中的功率开关。
6. 高压直流输电(HVDC)设备中的关键组件。
由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 在众多高要求的应用场景中表现出色。
IRFP460, STW12NK120Z, FQA16P120E