GA100TS60U 时间：2025/12/26 18:42:55 阅读：13

GA100TS60U是一款由Global Advanced Semiconductors（GAS）推出的高性能硅基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的60mΩ导通电阻设计，能够在高开关频率下实现极低的导通损耗和开关损耗，适用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及高端DC-DC转换器等对效率和功率密度要求严苛的应用场景。GA100TS60U集成了驱动优化结构，并具备良好的热稳定性与可靠性，封装形式通常为贴片式，便于在高密度PCB布局中使用。其栅极驱动电压范围适配主流控制器，兼容标准硅基MOSFET驱动电路，降低了系统升级至GaN技术的门槛。此外，该器件通过了AEC-Q101等可靠性认证，在高温工作环境下仍能保持稳定性能，适合工业级与车规级应用需求。

参数

型号：GA100TS60U
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：30A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 2.2V
　　最大栅源电压（VGS max）：+6.5V / -4V
　　输入电容（Ciss）：4500pF
　　输出电容（Coss）：680pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值为0C
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：TSOP-8 或类似贴片封装
　　功率耗散（PD）：5W（带散热条件）

特性

GA100TS60U的核心优势在于其基于氮化镓材料的物理特性所带来的卓越电学表现。作为一款增强型（常关型）氮化镓晶体管，它在栅极电压驱动下可实现快速开启与关断，显著降低开关过程中的能量损耗，尤其在MHz级别的高频开关应用中表现出远优于传统硅基MOSFET的效率水平。其60mΩ的低导通电阻确保了在大电流传输时的低导通损耗，有助于提升整体系统能效并减少散热设计负担。由于氮化镓材料具有更高的电子迁移率，该器件在高频工作状态下仍能维持较低的动态电阻，避免了硅器件在高频下因趋肤效应和寄生参数导致的性能衰减。
　　该器件具备极低的输出电容（Coss）和输入电容（Ciss），这不仅减少了驱动电路所需的充放电能量，也提升了系统的开关速度与响应能力。更重要的是，GA100TS60U几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在桥式拓扑或同步整流应用中，体二极管的反向恢复问题被彻底消除，极大降低了开关节点的电压振铃与电磁干扰（EMI），提高了系统可靠性并简化了滤波设计。这种特性特别适用于图腾柱PFC、LLC谐振变换器等对开关质量要求极高的拓扑结构。
　　在可靠性方面，GA100TS60U采用了抗湿性、抗离子迁移的封装工艺，并内置了栅极保护机制，防止过压损坏。其工作结温可达150°C，支持在恶劣环境下的长期运行。同时，该器件支持并联使用，得益于其正温度系数的导通电阻特性，电流可在多个并联器件间自然均流，提升了大功率应用的可扩展性。总体而言，GA100TS60U代表了当前中低压功率半导体向宽禁带器件演进的重要方向，是实现高效、小型化电源系统的关键元件之一。

应用

GA100TS60U广泛应用于对效率、功率密度和热管理有极高要求的现代电力电子系统。典型应用场景包括数据中心服务器的48V转12V中间总线转换器（IBC），其中高频操作可大幅缩小磁性元件体积，提升单位体积功率输出。在通信基站电源中，该器件用于高效DC-DC模块，支持5G基础设施的高功耗需求。此外，在光伏发电系统中的微型逆变器或组串式逆变器中，GA100TS60U可用于DC-AC逆变级，利用其零反向恢复特性提升MPPT效率并降低系统损耗。在电动汽车领域，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充模块，支持更高频率与更高效率的能量转换。工业自动化设备中的高密度开关电源、激光驱动电源以及高端LED照明驱动也越来越多地采用此类氮化镓器件以实现小型化与节能目标。此外，测试仪器、医疗电源等对噪声敏感的应用也能受益于其低EMI特性。