时间：2025/5/23 5:41:22
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GA0805Y561MXBBC31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET功率晶体管，主要应用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用TO-263-3L封装形式，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，适合在高频条件下工作。
型号：GA0805Y561MXBBC31G
品牌：Toshiba
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263-3L
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：76A
Ptot（总耗散功率）：118W（在Ta=25℃时）
f（工作频率范围）：高达1MHz
Vgs(th)（阈值栅极电压）：1.6V~3.0V
Qg（栅极电荷）：47nC（最大值）
GA0805Y561MXBBC31G是一款高性能的功率MOSFET，具有以下特点：
1. 低导通电阻（Rds(on)），可以有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高额定电流（Id）和低热阻设计，有助于提升散热性能。
4. 紧凑的TO-263-3L封装，节省PCB空间，同时提供良好的电气连接。
5. 支持宽范围的工作电压（Vds），适用于多种功率转换场景。
6. 具有较高的抗雪崩能力，确保在异常情况下能够稳定运行。
这些特性使GA0805Y561MXBBC31G成为高效能功率转换和控制的理想选择。
GA0805Y561MXBBC31G广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级输出。
4. 各种负载切换应用，如电池管理系统中的充放电保护。
5. 逆变器电路中的功率输出级。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其优异的性能，这款MOSFET特别适合需要高效率、高可靠性和高频工作的应用场景。
GA0805Y561MXBBC31G
