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GA0805Y561JBJBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 12:25:26 查看 阅读:12

GA0805Y561JBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升系统效率并降低功耗。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,支持高频率工作,同时具备良好的热稳定性和耐压性能,广泛用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:20nC
  开关速度:20ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0805Y561JBJBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速的开关响应时间,适用于高频应用场合。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小型封装设计,便于 PCB 布局优化。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品需求。
  6. 稳定的电气性能,能够在极端温度条件下可靠运行。

应用

该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,如无刷直流电机 (BLDC) 的逆变桥。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 通信基站及服务器电源中的高效功率转换。
  6. 充电器和适配器中的同步整流方案。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP55NF06L

GA0805Y561JBJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-