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GA0805Y392KBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/29 12:08:04 查看 阅读:11

GA0805Y392KBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其设计旨在提高效率并降低功耗,适用于各种需要高效能功率管理的场合。
  这款器件支持大电流操作,同时具备出色的耐压能力。其封装形式紧凑,便于在空间受限的应用中使用,同时保证了电气性能和散热效果的平衡。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):3.5mΩ
  ID(连续漏极电流):80A
  Qg(栅极电荷):47nC
  fT(转换频率):1.6MHz
  VGS(th)(阈值电压):2.5V
  Tj(结温范围):-55℃ to 150℃

特性

GA0805Y392KBBBT31G的核心特点是低导通电阻,能够显著减少传导损耗,从而提升整体系统效率。此外,其高开关速度使得动态损耗最小化,非常适合高频开关应用。
  该芯片还具备强大的抗雪崩能力和静电防护功能,提高了器件的可靠性和鲁棒性。通过优化的热设计,即使在高温环境下也能保持稳定的性能表现。
  另外,它的封装采用了高效的引脚布局,便于PCB板上的安装和焊接,同时增强了散热路径,进一步改善了热管理能力。

应用

该MOSFET广泛用于多种工业和消费类电子产品中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机控制和驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备中的负载切换
  6. 汽车电子中的电源管理和驱动电路
  由于其优异的性能,GA0805Y392KBBBT31G成为需要高效能功率转换和控制应用的理想选择。

替代型号

GA0805Y392KBBBT32G
  IRF3205
  FDP8601

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GA0805Y392KBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-