GA0805Y224KXJBR31G 是一款陶瓷贴片电容器,属于高可靠性和稳定性著称,适用于高频电路中的信号耦合、滤波和去耦等场景。此型号采用了多层陶瓷技术(MLCC),具备较小的体积和较高的电容量精度。
该器件具有优良的温度稳定性和低ESR特性,能够满足工业级及消费电子领域对高性能电容的需求。
型号:GA0805Y224KXJBR31G
封装:0805
电容量:22μF
额定电压:6.3V
公差:±10%
温度特性:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:2.0mm x 1.25mm
介质材料:陶瓷
DC偏压特性:低影响
绝缘电阻:≥1000MΩ
GA0805Y224KXJBR31G 的主要特点是其高稳定性和宽温度适应范围。X7R 温度特性确保了其在 -55°C 至 +125°C 的温度区间内保持良好的性能表现。此外,它采用的多层陶瓷结构使其拥有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而适合高频应用环境。
这款电容器还具备较强的抗机械应力能力,在振动或冲击条件下仍能保持电气性能稳定。另外,它的 DC 偏压对容量变化的影响较小,因此非常适合需要动态负载调整的应用场景。
GA0805Y224KXJBR31G 广泛应用于各种高频电路中,例如:
- 开关电源的输入/输出滤波
- 音频设备中的信号耦合
- 射频模块中的匹配网络
- 微处理器和 FPGA 的旁路电容
- 工业控制系统的电源去耦
由于其出色的温度特性和可靠性,它也常被用于汽车电子、通信基站以及消费类电子产品中。
GA0805Y224KXJBR21G
GA0805Y224KXJCR31G
GRM188R71H224KA12D