GA0805Y223KBXBR31G是一款高性能的陶瓷多层片式电容器(MLCC),适用于高频电路中的滤波、耦合和旁路等应用。该型号属于村田制作所生产的NFM系列,采用X7R介质材料,具有优良的温度稳定性和高可靠性。
这种电容器的设计使其非常适合需要小尺寸和高容量的应用场景,例如消费电子设备、通信模块以及工业控制设备中。其出色的电气性能和机械稳定性使其成为众多工程师在设计高频电路时的首选元件。
容量:220pF
额定电压:50V
公差:±5%
直流偏压特性:低容量变化
封装:0805英寸
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
GA0805Y223KBXBR31G采用了X7R介质材料,具有良好的温度特性和电容稳定性,在-55°C至+125°C的工作温度范围内,电容值的变化率不超过±15%。
此外,该电容器具有较高的Q值和较低的ESR(等效串联电阻),这使其特别适合用于射频和微波电路中,能够有效减少信号损耗并提高整体系统的效率。
由于采用了多层结构设计,此型号具备更高的抗机械振动和冲击能力,从而保证了长时间使用中的可靠性。同时,它的体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。
GA0805Y223KBXBR31G广泛应用于各种高频电子设备中,包括但不限于:
1. 射频模块中的滤波和匹配网络
2. 高速数据传输系统中的信号调理
3. 电源电路中的去耦和旁路
4. 工业控制设备中的噪声抑制
5. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑中的高频电路部分
6. 无线通信基站及物联网设备中的信号处理电路
C0805X7R1E50B223K
GRM1885C1H223KA01D
CC0805X7R1A50B223K