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GA0805Y222MXABP31G 发布时间 时间:2025/6/13 12:45:10 查看 阅读:11

GA0805Y222MXABP31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信领域中的信号放大。该芯片采用了先进的 GaAs(砷化镓)工艺技术,具备高增益、高线性度和低失真的特点,适用于 GSM、CDMA 和 LTE 等多种通信标准下的功率放大需求。
  这款器件通常被设计用于手机终端、基站设备以及其他无线通信系统中,能够在高频段下提供稳定的输出功率,并且支持高效的能量转换。

参数

型号:GA0805Y222MXABP31G
  工作频率范围:824 MHz 至 896 MHz
  输出功率:33 dBm(典型值)
  增益:18 dB(典型值)
  电源电压:3.4V - 5V
  静态电流:200 mA(典型值)
  效率:50%(典型值,基于特定负载条件)
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA0805Y222MXABP31G 的主要特性包括:
  1. 高输出功率和高增益,能够满足现代通信设备对信号强度的需求。
  2. 在宽频带范围内保持稳定的性能表现,适合多频段应用。
  3. 内置匹配网络,减少了外部元件的数量,从而简化了电路设计并降低了成本。
  4. 支持自动增益控制 (AGC),可以根据输入信号强度动态调整放大倍数,以优化整体系统性能。
  5. 提供良好的线性度和低互调失真,确保高质量的数据传输。
  6. 芯片具有良好的热稳定性和可靠性,即使在极端环境下也能长期运行。

应用

GA0805Y222MXABP31G 广泛应用于以下领域:
  1. 移动通信设备,例如智能手机和平板电脑。
  2. 基站收发信机,用于增强信号覆盖范围。
  3. 工业无线通信模块,如物联网 (IoT) 设备和远程监控系统。
  4. 军事和航空航天领域中的高性能通信设备。
  5. Wi-Fi 及其他短距离无线通信系统的功率放大环节。
  由于其卓越的性能,此芯片成为许多需要高效射频放大的场合的理想选择。

替代型号

GA0805Y222MXABP32G, GA0805Y222MXABP33G

GA0805Y222MXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-