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GA0805Y222KBJBR31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:14:01 查看 阅读:9

GA0805Y222KBJBR31G 是一款由知名厂商生产的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特性,能够在高频条件下提供出色的性能表现。
  其封装形式为标准 TO-220,适合散热需求较高的应用场景。此外,该芯片还具备良好的热稳定性和可靠性,可满足工业级和消费级市场的多样化需求。

参数

型号:GA0805Y222KBJBR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(VDS):80V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):50A
  导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ
  总功耗(Ptot):160W
  工作温度范围(Top):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

GA0805Y222KBJBR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够有效减少传导损耗并提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高达 5MHz 的开关频率,适用于高频电源设计。
  3. 内置反向恢复二极管,进一步降低开关过程中的能量损失。
  4. 强大的电流承载能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
  5. 支持宽范围的工作温度区间,适应多种恶劣环境下的使用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

GA0805Y222KBJBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动及控制电路。
  3. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  5. 各种需要高效功率转换的应用场景,例如通信基站和服务器电源。
  6. LED 驱动器和照明系统中的功率调节模块。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L, STP55NF06

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GA0805Y222KBJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-