时间：2025/5/29 19:42:30
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GA0805Y184MBJBR31G 是一款由 Rohm 生产的高性能、低导通电阻的 N 沟道 MOSFET。该型号采用小型封装，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
其内部结构和材料经过优化，确保了较低的导通电阻以及良好的开关性能。同时，该器件具备较高的耐雪崩能力，适合多种电源管理和驱动应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：1.7mΩ
总电荷量：17nC
栅极电荷：12nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0805Y184MBJBR31G 具备非常低的导通电阻，这使其在功率转换应用中能够显著降低功耗并提高效率。
此外，该器件采用了先进的封装技术，能够在有限的空间内提供更高的性能。
它具有出色的热稳定性和电气特性，可承受恶劣的工作环境。
MOSFET 的快速开关能力和低栅极电荷进一步减少了开关损耗，非常适合高频电路设计。
同时，它的高雪崩击穿能量提高了系统在异常情况下的可靠性。
该芯片广泛应用于各种 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电池保护电路以及消费类电子产品的电源管理模块。
由于其出色的性能表现，GA0805Y184MBJBR31G 也常被用于工业设备、汽车电子和通信基础设施中的功率控制部分。
IPA60R092P7S6B, IRF7822TRPBF, AO4402
