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GA0805Y183JXXBC31G 发布时间 时间:2025/6/4 10:56:42 查看 阅读:6

GA0805Y183JXXBC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,主要应用于高频率、高效率的电源管理系统。
  该器件采用先进的封装工艺和设计结构,具有低导通电阻、快速开关特性和优异的热性能。其卓越的电气性能使其非常适合用于快充适配器、数据中心电源、无线充电设备以及其他需要高性能功率管理的场景。

参数

型号:GA0805Y183JXXBC31G
  类型:GaN 功率晶体管
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:18mΩ
  栅极驱动电压:4V~6V
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-252

特性

GA0805Y183JXXBC31G 具备以下关键特性:
  1. 高效功率转换能力,适用于高频开关应用。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少功率损耗并提升整体效率。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  4. 热阻较低,能够提供更好的散热性能。
  5. 优秀的抗电磁干扰性能,确保在复杂电磁环境下稳定运行。
  6. 小型化的封装设计,便于集成到紧凑型电路中。
  7. 支持多种保护机制,如过流保护、短路保护等,从而提高系统的可靠性。

应用

这款 GaN 功率晶体管广泛应用于以下领域:
  1. USB PD 快速充电器
  2. 数据中心高效电源模块
  3. 工业用 DC/DC 转换器
  4. 太阳能微型逆变器
  5. 无线充电发射端
  6. 消费类电子产品的适配器与充电解决方案
  7. LED 驱动电源系统

替代型号

GA0805Y183JXXBA31G
  GA0805Y183JXXBB31G
  GAN008B180T6C

GA0805Y183JXXBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-