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GA0805Y182JXCBP31G 发布时间 时间:2025/7/9 18:51:00 查看 阅读:16

GA0805Y182JXCBP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等场景。该器件采用了先进的增强型GaN HEMT结构,具备低导通电阻和快速开关性能,可显著提高系统的功率密度和效率。
  这款芯片的主要特点是其高性能、高可靠性和紧凑的封装设计,使其非常适合于对尺寸和效率要求较高的应用环境。

参数

型号:GA0805Y182JXCBP31G
  类型:GaN 功率晶体管
  封装:QFN 8x8mm
  额定电压:650V
  额定电流:8A
  导通电阻:18mΩ
  栅极电荷:45nC
  最大工作温度:-55℃ 至 +175℃
  典型开关频率:1MHz至10MHz

特性

GA0805Y182JXCBP31G 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),仅18mΩ,有效降低传导损耗。
  2. 快速开关性能,支持高达10MHz的工作频率,适合高频应用场景。
  3. 高击穿电压(650V),确保在高压环境下稳定运行。
  4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间,便于高密度布局。
  5. 内置ESD保护功能,提升可靠性。
  6. 支持零电压开关(ZVS)和硬开关操作模式,适应多种电路拓扑。
  7. 具备良好的热性能,能够在极端温度条件下正常工作。
  这些特点使得该芯片成为现代高效能电力电子设备的理想选择。

应用

GA0805Y182JXCBP31G 主要应用于以下领域:
  1. 高效AC-DC和DC-DC转换器,如服务器电源、通信电源和工业电源。
  2. 快速充电器和适配器,提供更高的功率密度和更小的体积。
  3. 射频功率放大器,用于无线通信和雷达系统。
  4. 汽车电子,如车载充电器(OBC)、DC-DC变换器和逆变器。
  5. 能量回收装置和光伏微逆变器。
  由于其卓越的性能和可靠性,该芯片在各种需要高频、高效率和小型化的应用中表现出色。

替代型号

GX0805Z215LXDP18G
  GAN065-8A-E01
  STGAP100H

GA0805Y182JXCBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-