您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805Y153MBBBR31G

GA0805Y153MBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 10:59:52 查看 阅读:7

GA0805Y153MBBBR31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高性能射频放大器芯片,专为无线通信系统中的信号放大设计。该芯片具有高增益、低噪声和宽带宽的特性,适用于蜂窝基站、卫星通信、雷达以及其他射频应用领域。其小型化的封装形式使得它在空间受限的应用中表现出色。

参数

型号:GA0805Y153MBBBR31G
  工艺:GaAs MMIC
  工作频率范围:5-8GHz
  增益:15dB
  输出功率(1dB压缩点):+23dBm
  饱和输出功率:+26dBm
  噪声系数:3.5dB
  电源电压:+5V
  静态电流:120mA
  封装形式:QFN 3x3mm
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

GA0805Y153MBBBR31G 提供了卓越的射频性能,特别是在高频段的增益和效率方面表现突出。
  该器件采用了先进的GaAs MMIC技术,确保了低噪声和高线性度,适合要求严格的通信场景。
  它的宽带设计允许覆盖多个频段,从而减少了对多种不同器件的需求。
  此外,芯片的紧凑型封装使其非常适合现代小型化设备,同时保持良好的散热性能。
  内置匹配网络简化了外部电路设计,进一步提升了整体系统的稳定性和可靠性。

应用

GA0805Y153MBBBR31G 广泛应用于各种射频和微波系统中,包括但不限于:
  蜂窝基站前端模块中的信号增强;
  卫星通信设备的上下变频链路;
  雷达系统中的接收机前端放大;
  点对点无线电通信系统中的中继放大;
  测试测量仪器中的宽带信号放大。

GA0805Y153MBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-