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GA0805Y122KXCBP31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:09:31 查看 阅读:8

GA0805Y122KXCBP31G 是一款高性能、低功耗的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有出色的电气特性和可靠性,能够满足现代电子设备对效率和性能的需求。
  此芯片属于沟道增强型 MOSFET,能够在高频条件下提供高效的开关性能,并且支持大电流输出。

参数

型号:GA0805Y122KXCBP31G
  类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):80V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):5A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):17nC
  总电容(Ciss):1080pF
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

GA0805Y122KXCBP31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高达 2MHz 的开关频率。
  3. 强大的雪崩能力,确保在异常条件下的可靠运行。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片的抗静电能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 小型化封装,节省电路板空间。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和负载切换控制。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. LED 照明驱动电路中的高效开关元件。
  6. 工模块。

替代型号

IRF840,
  STP55NF06,
  AO3400

GA0805Y122KXCBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-