GA0805H823KXXBR31G 是一款由 Rohm Semiconductor 生产的高精度、低功耗运放芯片,主要用于需要高稳定性和高增益性能的应用场景。该芯片采用先进的 BiCMOS 工艺制造,能够在宽电压范围内保持优异的性能表现,并且具有出色的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。其设计适用于工业控制、医疗设备以及消费类电子产品中的信号放大与处理任务。
此型号中的部分后缀表示特定的封装形式和工作温度范围,使其能够满足多种严苛环境下的应用需求。
供电电压:2.7V~5.5V
带宽:5MHz
输入偏置电流:1pA
开环增益:100dB
工作温度范围:-40°C~+125°C
封装类型:TSSOP16
转换速率:1V/us
静态电流:250uA
GA0805H823KXXBR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 高精度输入失调电压,确保在微弱信号放大时仍能保持较高的准确性。
2. 极低的输入偏置电流,非常适合用于高阻抗传感器信号的放大。
3. 宽工作电压范围使得该芯片可以兼容多种不同的供电条件。
4. 出色的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR),有助于减少噪声干扰并提高系统稳定性。
5. 小型化的 TSSOP16 封装不仅节省了 PCB 空间,还便于进行表面贴装生产。
6. 良好的热特性和宽温范围支持,使芯片能够在恶劣环境下长期可靠运行。
该芯片广泛应用于多个领域,例如精密仪器仪表中的信号调理模块、医疗设备中的生理信号监测单元、音频设备中的前置放大器、工业自动化控制系统中的反馈回路等。此外,在便携式电子设备中,如手持终端和无线通信模块,GA0805H823KXXBR31G 的低功耗特性也能发挥重要作用。
OPA316IDAQR
LMV321MDDCR