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GA0805H823KXXBR31G 发布时间 时间:2025/6/24 6:13:33 查看 阅读:9

GA0805H823KXXBR31G 是一款由 Rohm Semiconductor 生产的高精度、低功耗运放芯片,主要用于需要高稳定性和高增益性能的应用场景。该芯片采用先进的 BiCMOS 工艺制造,能够在宽电压范围内保持优异的性能表现,并且具有出色的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。其设计适用于工业控制、医疗设备以及消费类电子产品中的信号放大与处理任务。
  此型号中的部分后缀表示特定的封装形式和工作温度范围,使其能够满足多种严苛环境下的应用需求。

参数

供电电压:2.7V~5.5V
  带宽:5MHz
  输入偏置电流:1pA
  开环增益:100dB
  工作温度范围:-40°C~+125°C
  封装类型:TSSOP16
  转换速率:1V/us
  静态电流:250uA

特性

GA0805H823KXXBR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高精度输入失调电压,确保在微弱信号放大时仍能保持较高的准确性。
  2. 极低的输入偏置电流,非常适合用于高阻抗传感器信号的放大。
  3. 宽工作电压范围使得该芯片可以兼容多种不同的供电条件。
  4. 出色的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR),有助于减少噪声干扰并提高系统稳定性。
  5. 小型化的 TSSOP16 封装不仅节省了 PCB 空间,还便于进行表面贴装生产。
  6. 良好的热特性和宽温范围支持,使芯片能够在恶劣环境下长期可靠运行。

应用

该芯片广泛应用于多个领域,例如精密仪器仪表中的信号调理模块、医疗设备中的生理信号监测单元、音频设备中的前置放大器、工业自动化控制系统中的反馈回路等。此外,在便携式电子设备中,如手持终端和无线通信模块,GA0805H823KXXBR31G 的低功耗特性也能发挥重要作用。

替代型号

OPA316IDAQR
LMV321MDDCRAD8628ARZ

GA0805H823KXXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-