GA0805H821MXXBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制程工艺制造,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号:GA0805H821MXXBP31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总功耗(Ptot):36W
结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
GA0805H821MXXBP31G的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
3. 高击穿电压,提供强大的过压保护能力。
4. 小型化的封装设计,有助于节省PCB空间。
5. 稳定的热性能,确保在极端温度下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
该芯片适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载控制。
4. 消费类电子设备中的过流保护电路。
5. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
6. 汽车电子中的各种功率开关功能。
GA0805H821MXXAP31G, IRF540N, FDP5501