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GA0805H821MXXBP31G 发布时间 时间:2025/5/28 9:36:57 查看 阅读:7

GA0805H821MXXBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制程工艺制造,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

型号:GA0805H821MXXBP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):36W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA0805H821MXXBP31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高击穿电压,提供强大的过压保护能力。
  4. 小型化的封装设计,有助于节省PCB空间。
  5. 稳定的热性能,确保在极端温度下的可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

该芯片适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载控制。
  4. 消费类电子设备中的过流保护电路。
  5. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
  6. 汽车电子中的各种功率开关功能。

替代型号

GA0805H821MXXAP31G, IRF540N, FDP5501

GA0805H821MXXBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-