时间：2025/6/17 1:57:35
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GA0805H683JXXBR31G 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源转换、DC-DC 转换器和开关电源等场景。该器件采用沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，从而显著提高系统的效率和可靠性。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于多种工业和消费类电子产品中需要高效功率管理的场合。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：74A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：125nC
总电容：2950pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
GA0805H683JXXBR31G 的主要特点是其极低的导通电阻（仅 1.2mΩ），这使得它在大电流应用中能够显著减少传导损耗并提升整体效率。
此外，该芯片还具备以下优势：
- 快速开关性能，可降低开关损耗。
- 高电流承载能力（74A 连续漏极电流）。
- 提供卓越的热稳定性和可靠性，适合长时间运行。
- 符合 RoHS 标准，环保且安全。
- 小型封装设计，节省 PCB 空间。
GA0805H683JXXBR31G 广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的场景，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动工具中的电机驱动
- 太阳能逆变器
- 电池管理系统（BMS）
- 工业自动化设备
- 汽车电子系统中的负载切换
由于其高效的功率管理和稳健的设计，该芯片成为众多工程师在开发高性能电源解决方案时的首选。
IPA60R140PFA
IRL3803TRPBF
FDP15N40AE
STP75NF06L
