时间：2025/6/12 17:57:28
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GA0805H681JBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和高频开关电路中。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能。适用于需要高效能和低功耗的电子设备。
其设计优化了漏源电压和连续电流能力，使其在严苛的工作环境下依然能够保持稳定可靠的性能。
型号：GA0805H681JBXBR31G
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅极阈值电压(Vgs-th)：2.2V~4.0V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：25W
工作温度范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-247
GA0805H681JBXBR31G 的主要特点是仅2.5毫欧），这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗。同时，其栅极电荷较小，确保了快速的开关速度，从而提高整体效率并降低电磁干扰(EMI)。
此外，该器件支持高达80安培的连续漏极电流，并且能够在极端温度范围内可靠运行，非常适合工业级或汽车级应用环境。为了进一步增强散热性能，此款功率MOSFET还集成了大面积金属垫片以改善热传导效果。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于开关模式电源(SMPS)中的同步整流器、DC-DC转换器的核心元件、电动工具与家用电器的电机驱动电路、太阳能逆变器的关键组件，以及电动车和混合动力车的动力系统控制单元等场景。
凭借其出色的电气特性和机械结构设计，GA0805H681JBXBR31G 成为现代高效电力电子设备的理想选择。
GA0805H681JAXBR31G, IRFZ44N, FDP8880
