时间：2025/6/30 22:44:21
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GA0805H563KXXBR31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率半导体器件，具体属于IGBT模块系列。该型号设计用于高功率工业应用场合，例如变频器、逆变焊机、不间断电源（UPS）、电机驱动等。它结合了高效率和可靠性的特点，能够处理大电流和高电压，同时具备较低的开关损耗和导通损耗。
此IGBT模块采用绝缘金属基板（IMS）技术封装，能够有效提升散热性能，并且具有较高的耐热循环能力，确保在恶劣环境下也能稳定运行。
集电极-发射极击穿电压：1200V
连续集电极电流：450A
短路耐受时间：10μs
开关频率：最高可达10kHz
工作温度范围：-40℃至150℃
热阻：0.04 K/W
输入电容：约3000pF
栅极阈值电压：7V至15V
GA0805H563KXXBR31G 具备以下主要特性：
1. 高电压和大电流承受能力，适合多种高功率应用场景。
2. 内部集成NTC热敏电阻，可实时监测模块温度，从而保护设备免受过热损害。
3. 使用先进的IGBT芯片技术和优化的反并联二极管设计，降低了导通和开关损耗。
4. 封装形式紧凑，简化了系统设计并节省空间。
5. 提供卓越的电气隔离性能，增强系统的安全性和可靠性。
6. 支持快速开通和关断，减少电磁干扰和能量损失。
7. 具有良好的抗浪涌能力，适用于复杂电力环境。
GA0805H563KXXBR31G 广泛应用于以下领域：
1. 工业变频器和伺服驱动系统。
2. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换。
3. 不间断电源（UPS）和应急电源设备。
4. 电动车充电站的核心功率变换模块。
5. 焊接设备中作为主功率开关元件。
6. 各种需要高效功率控制的高压、大电流场景。
GA0805H563KXXBR31L
GA0805H563KXXBR31M
