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GA0805H561KXBBP31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:27:45 查看 阅读:7

GA0805H561KXBBP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  此款功率MOSFET具备出色的热特性和电气特性,非常适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。

参数

型号:GA0805H561KXBBP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极耐压(Vdss):60V
  连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0805H561KXBBP31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频开关应用。
  3. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  4. 具备强固的ESD防护设计,增强了器件的可靠性。
  5. 支持大电流操作,适用于需要高功率输出的应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率调节模块。

替代型号

GA0805H561KXBBP31H, IRF540N, FDP55N06L

GA0805H561KXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-