时间：2025/5/15 17:30:51
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GA0805H561JBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，属于沟道增强型场效应晶体管。它适用于高电压、大电流的应用场景，具有较低的导通电阻和快速的开关速度。该型号通常用于开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率控制的电子设备中。
此器件采用先进的半导体制造工艺，能够在高频条件下保持良好的性能，并且具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：56A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=11ns, toff=25ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GA0805H561JBBBR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 大电流承载能力（高达56A），使其在高功率应用场景下表现出色。
4. 强大的热管理设计，支持长时间稳定运行。
5. 良好的电气特性和机械稳定性，确保在极端温度条件下的可靠操作。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC 转换器
4. 逆变器
5. 充电器
6. 工业自动化设备
7. 汽车电子系统
其高效率和高可靠性使得 GA0805H561JBBBR31G 成为众多高要求应用的理想选择。
IRF840,
STP55NF06,
FDP5500,
IXTK56N08P3
