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GA0805H333KBXBR31G 发布时间 时间:2025/7/11 22:13:05 查看 阅读:15

GA0805H333KBXBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于各种工业和消费类电子设备。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,其设计旨在优化效率和散热性能,同时提供卓越的电气特性以满足现代电子系统的需求。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-247
  Vds(漏源电压):650V
  Rds(on)(导通电阻):0.035Ω
  Id(连续漏极电流):50A
  功耗:350W
  栅极电荷:150nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  结温:175℃

特性

GA0805H333KBXBR31G 提供了多种出色的特性,包括但不限于以下几点:
  1. 高耐压能力:支持高达 650V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻:仅为 0.035Ω,能够显著降低功率损耗。
  3. 大电流处理能力:支持连续漏极电流高达 50A,满足大功率需求。
  4. 高效热管理:采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能。
  5. 快速开关速度:低栅极电荷 (150nC),有助于提高效率并减少开关损耗。
  6. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃,确保在极端环境下的可靠性。
  这些特性使 GA0805H333KBXBR31G 成为高效功率转换、电机驱动和逆变器等应用的理想选择。

应用

GA0805H333KBXBR31G 广泛应用于需要高功率和高效率的场景,具体包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动与控制
  3. 太阳能逆变器
  4. 不间断电源 (UPS)
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统
  7. 高压电源模块
  由于其卓越的性能和可靠性,这款 MOSFET 在多个行业中都得到了广泛应用。

替代型号

GA0805H333KBXBR31G-A, IRF840, STP50NF06

GA0805H333KBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-