时间：2025/7/11 22:13:05
阅读：49
GA0805H333KBXBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于各种工业和消费类电子设备。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列，其设计旨在优化效率和散热性能，同时提供卓越的电气特性以满足现代电子系统的需求。
类型：MOSFET
封装：TO-247
Vds（漏源电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：0.035Ω
Id（连续漏极电流）：50A
功耗：350W
栅极电荷：150nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
结温：175℃
GA0805H333KBXBR31G 提供了多种出色的特性，包括但不限于以下几点：
1. 高耐压能力：支持高达 650V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻：仅为 0.035Ω，能够显著降低功率损耗。
3. 大电流处理能力：支持连续漏极电流高达 50A，满足大功率需求。
4. 高效热管理：采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能。
5. 快速开关速度：低栅极电荷 (150nC)，有助于提高效率并减少开关损耗。
6. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃，确保在极端环境下的可靠性。
这些特性使 GA0805H333KBXBR31G 成为高效功率转换、电机驱动和逆变器等应用的理想选择。
GA0805H333KBXBR31G 广泛应用于需要高功率和高效率的场景，具体包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. 不间断电源 (UPS)
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
7. 高压电源模块
由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 在多个行业中都得到了广泛应用。
GA0805H333KBXBR31G-A, IRF840, STP50NF06
