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GA0805H333JBABR31G 发布时间 时间:2025/6/9 12:58:34 查看 阅读:17

GA0805H333JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的制程工艺,具有极低的导通电阻和优异的开关特性,适用于多种电源管理及驱动电路。其封装形式紧凑,能够有效节省 PCB 空间,同时具备出色的热性能和电气稳定性。
  这款芯片广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等领域。通过优化的栅极驱动设计,可显著降低开关损耗并提高整体系统效率。

参数

型号:GA0805H333JBABR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  总功耗(Ptot):75W
  工作温度范围(Topr):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA0805H333JBABR31G 的主要特性包括:
  - 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗并提升效率。
  - 快速开关速度,适合高频应用场合。
  - 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
  - 内置反向二极管,简化电路设计并提供额外保护功能。
  - 优秀的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行。
  - 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  - 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  - DC-DC 转换器的核心功率器件。
  - 电机驱动电路中的功率级控制。
  - 各类负载开关和保护电路。
  - 电池管理系统(BMS)中的充放电路径管理。
  - 工业自动化设备中的功率转换与驱动模块。

替代型号

GA0805H333JBAR31G
  IRFZ44N
  FDP16N30
  STP40NF06L

GA0805H333JBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-