时间：2025/5/20 16:11:41
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GA0805H273KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高效率功率转换应用中。该型号具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片设计用于处理高电流负载，同时具备优异的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
型号：GA0805H273KBABR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压（Vds）：80V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至+175℃
栅极电荷（Qg）：65nC（典型值）
反向恢复时间（trr）：95ns（典型值）
GA0805H273KBABR31G 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用，有助于减小滤波器尺寸。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热阻较低，有助于改善散热性能，从而延长使用寿命。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于多种工业及消费类应用领域。
6. 集成的ESD保护电路提高了器件的静电防护能力。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. 电机驱动控制，例如家用电器中的风扇或泵驱动。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 工业自动化设备中的大功率开关。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电力电子模块。
6. LED照明驱动电源及其他高效功率转换场景。
GA0805H272KA, IRF840, STP50NF06
