时间：2025/6/20 19:28:18
阅读：3
GA0805H223MBBBR31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频、高功率密度应用设计。该器件采用了增强型 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电以及各类高频功率转换场景。
相比传统的硅基 MOSFET，这款 GaN 器件在高频工作条件下表现出更优越的性能，同时能够显著减小系统尺寸和提升能效。
型号：GA0805H223MBBBR31G
类型：GaN 功率晶体管
封装：LFPAK8L
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻：22mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0805H223MBBBR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（22mΩ），确保高效率运行。
2. 快速开关速度，支持高达 MHz 级别的开关频率。
3. 高击穿电压（650V），适用于广泛的输入电压范围。
4. 减少了寄生电感的影响，进一步优化了高频下的性能。
5. 提供卓越的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
6. 封装紧凑且兼容表面贴装技术（SMT），有助于简化生产流程。
这些特性使得 GA0805H223MBBBR31G 成为下一代高效功率转换系统的理想选择。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器
2. USB-PD 电源适配器
3. 开关模式电源（SMPS）
4. 无线充电发射端
5. 汽车电子中的负载切换
6. 工业用 AC-DC 电源模块
其高频性能和高效率特别适合需要小型化和轻量化的设计。
GAN063-650WSA
GS665AN
GTM110R080HE
GaN Systems GS-065-011-1-L
