时间：2025/6/9 12:57:47
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GA0805H223KXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，支持高频开关应用，并具备优异的热性能和电气特性，适合用于对效率和散热要求较高的场景。
型号：GA0805H223KXABP31G
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：22A
导通电阻(Rds(on))：3.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：47nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，可降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 优秀的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定的性能。
4. 内置反向恢复二极管，有助于减少开关噪声。
5. 紧凑的封装设计，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的桥式驱动器。
3. 电池管理系统(BMS) 中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED 照明驱动电路中的功率调节器。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
IRFZ44N, FDP5500, AO3400
