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GA0805H223KBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:02:49 查看 阅读:3

GA0805H223KBBBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,在保持低导通电阻的同时,具备优异的开关性能和热稳定性。
  这款芯片属于沟道增强型MOSFET,能够有效减少功率损耗并提高系统的整体效率。其封装形式为小型化设计,适合高密度电路板布局。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):2.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  总电容:150pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA0805H223KBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频工作环境。
  3. 良好的热稳定性,确保在极端温度条件下的可靠运行。
  4. 小型化封装,有助于优化电路板空间利用率。
  5. 强大的抗浪涌电流能力,提高了产品的耐用性和鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 电动工具、家用电器和其他消费类电子产品中的电机驱动控制。
  4. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率管理的工业设备。
  5. 电池管理系统(BMS),用于保护和优化电池充放电过程。

替代型号

IRF7729,
  FDP5800,
  AO4404

GA0805H223KBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-