时间：2025/6/20 19:27:19
阅读：3
GA0805H223KBABT31G是一款由东芝（Toshiba）生产的高压MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的工艺制造，具备高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点。其主要应用于各种电源管理电路、电机驱动、DC-DC转换器以及需要高效能开关的场合。
该型号属于东芝的U-MOS IX系列，采用了TO-263封装形式，能够承受较高的电压并提供可靠的性能表现。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：25nC
开关时间：ton=65ns, toff=48ns
工作温度范围：-55℃至150℃
GA0805H223KBABT31G具有以下显著特性：
1. 高击穿电压能力，可适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻设计，有效降低功耗并提升效率。
3. 快速开关特性，减少开关损耗，适合高频操作。
4. TO-263封装提供了良好的散热性能，确保长期稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范要求。
6. 内部保护机制完善，包括过温保护和短路保护功能。
这款MOSFET广泛用于各类电力电子设备中，典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）及适配器设计。
2. DC-DC转换器模块中的主开关元件。
3. 各种电机驱动控制器。
4. 太阳能逆变器系统中的功率转换组件。
5. 工业自动化控制设备中的负载切换与调节电路。
6. 电动车充电站或车载电子系统的电源管理单元。
GA0805H223KBA, IRF840, STP75NF06L
