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GA0805H222JXABC31G 发布时间 时间:2025/5/22 21:58:33 查看 阅读:11

GA0805H222JXABC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,适用于需要高效能量转换和严格温控的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA0805H222JXABC31G具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
  3. 高可靠性设计,确保在极端温度条件下的稳定性能。
  4. 小型化封装,便于电路板布局和空间优化。
  5. 具备出色的热性能,能够在高负载条件下保持较低的工作温度。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

该芯片广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电动工具驱动
  4. 汽车电子系统
  5. 工业控制设备
  6. 太阳能逆变器中的功率管理模块

替代型号

GA0805H222JXABC32G
  IRF540N
  FDP5570N
  AO3400A

GA0805H222JXABC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-