时间：2025/5/22 15:46:29
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GA0805H222JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率和高功率应用而设计。该芯片采用了先进的制造工艺，能够提供卓越的导通电阻和开关性能，适用于各种工业和消费电子领域。其封装形式紧凑，便于在空间受限的应用中使用。
型号：GA0805H222JBABR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
栅极电荷(Qg)：40nC
功耗(PD)：72W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
GA0805H222JBABR31G 具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗。此外，该芯片的快速开关能力和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。其耐高温性能也确保了在极端环境下的可靠运行。
该芯片还具有良好的热稳定性，通过优化的内部结构设计，能够有效散发热量，从而延长器件寿命。同时，其强大的过流保护能力可以防止因意外过载而导致的损坏。
这款功率 MOSFET 广泛应用于直流电机驱动、电源管理模块、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动工具以及各类工业控制设备中。由于其出色的电气性能和可靠性，它特别适合需要高效能量转换和严格温控的场景。
IRFP260N
FDP16N60E
STP120N10F5
