时间：2025/5/29 12:05:53
阅读：9
GA0805H182MBBBT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高效率功率转换应用。该器件采用先进的封装工艺，能够提供卓越的开关性能和热管理特性。其主要用途包括通信基础设施、工业电源、数据中心电源以及可再生能源转换系统等。此型号为表面贴装器件（SMD），便于自动化生产和高效散热设计。
相比传统硅基器件，氮化镓晶体管具有更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的能效，因此广泛应用于需要高性能功率转换的场合。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：70nC
开关频率：最高可达10MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
1. 基于氮化镓（GaN）材料，具备卓越的高频性能和低损耗特性。
2. 高开关速度，减少死区时间，提升系统效率。
3. 超低导通电阻（Rds(on)），降低传导损耗。
4. 内置ESD保护功能，提高器件的可靠性。
5. 表面贴装封装设计，支持高效的生产流程。
6. 小型化封装，有助于节省电路板空间并优化热管理。
7. 具备出色的热稳定性和电气稳定性，适合恶劣环境下的使用。
总体而言，GA0805H182MBBBT31G 的设计旨在满足现代功率转换应用对高效率、高密度和高可靠性的需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. 数据中心电源模块
3. 通信基站功率放大器
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电设备
6. 工业电机驱动器
7. 消费类电子产品中的快速充电解决方案
由于其高频和高效的特点，该器件特别适合需要高功率密度和快速响应的应用场景。
GAN041-650WSA
GAN063-650WSB
GAN080-650WSA
