时间：2025/6/26 10:55:51
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GA0805H153MBXBR31G 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，主要用于开关和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
其封装形式为行业标准的小型化封装，适合高密度电路板设计，同时具备良好的电气特性和可靠性，适用于多种消费电子、工业设备和通信系统中的电源管理解决方案。
型号：GA0805H153MBXBR31G
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：38nC
功耗(PD)：175W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
封装：TO-252(DPAK)
逻辑电平兼容：是
GA0805H153MBXBR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率转换和较低的功耗。
2. 高速开关能力使得该器件非常适合高频应用。
3. 具备较高的漏源极电压耐受性 (Vds)，能够适应各种复杂的电路环境。
4. 小型化的封装降低了 PCB 占用空间，提高了布局灵活性。
5. 支持宽广的工作温度范围，保证在极端条件下仍能可靠运行。
6. 与逻辑电平兼容的驱动要求简化了外围电路设计。
GA0805H153MBXBR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动和负载切换电路中的主控开关。
3. 汽车电子系统的电源管理和保护电路。
4. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
5. 笔记本电脑及平板电脑适配器中的同步整流功能。
6. 各种家用电器中的功率控制模块。
IRF540N, FQP17N06, AO3400A
