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GA0805H153JXXBC31G 发布时间 时间:2025/6/9 17:02:12 查看 阅读:29

GA0805H153JXXBC31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率半导体器件,具体属于 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。该型号主要用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备以及各种需要高效功率转换的应用场景。
  IGBT 模块是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其结合了 MOSFET 的高输入阻抗和快速开关特性与双极性晶体管的低导通压降优势。这种组合使得 IGBT 在高频开关应用中表现出色,同时具有较低的功耗和较高的可靠性。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:450A
  集电极-发射极饱和电压:≤2.0V
  栅极-发射极开启电压:12V
  最大工作结温:150℃
  热阻:0.12 K/W
  封装类型:半桥模块

特性

GA0805H153JXXBC31G 具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力,能够承受高达 1200V 的电压,适用于高压环境下的功率转换。
  2. 大电流输出能力,额定电流为 450A,可满足高功率应用需求。
  3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并提高系统效率。
  4. 内置优化的栅极驱动电路设计,减少了外部元件的需求,简化了系统设计。
  5. 采用先进的封装技术,确保良好的散热性能和机械稳定性。
  6. 超低的集电极-发射极饱和电压,有助于减少导通损耗,提升整体效率。
  7. 支持宽温度范围操作,能够在 -40°C 至 +150°C 的环境下稳定运行。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 工业电机驱动:用于控制大型电机的速度和扭矩。
  2. 太阳能逆变器:将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  3. 不间断电源(UPS):提供稳定的电力供应,防止电网波动对设备造成影响。
  4. 焊接设备:实现精确的电流控制以保证焊接质量。
  5. 变频器:用于调节电机转速以提高能源利用效率。
  6. 电动车充电站:进行高效的电能转换和管理。

替代型号

GT40Q2L2B, FZ1200R12KE3

GA0805H153JXXBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-