GA0805H153JXXBC31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率半导体器件,具体属于 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。该型号主要用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备以及各种需要高效功率转换的应用场景。
IGBT 模块是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其结合了 MOSFET 的高输入阻抗和快速开关特性与双极性晶体管的低导通压降优势。这种组合使得 IGBT 在高频开关应用中表现出色,同时具有较低的功耗和较高的可靠性。
额定电压:1200V
额定电流:450A
集电极-发射极饱和电压:≤2.0V
栅极-发射极开启电压:12V
最大工作结温:150℃
热阻:0.12 K/W
封装类型:半桥模块
GA0805H153JXXBC31G 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,能够承受高达 1200V 的电压,适用于高压环境下的功率转换。
2. 大电流输出能力,额定电流为 450A,可满足高功率应用需求。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并提高系统效率。
4. 内置优化的栅极驱动电路设计,减少了外部元件的需求,简化了系统设计。
5. 采用先进的封装技术,确保良好的散热性能和机械稳定性。
6. 超低的集电极-发射极饱和电压,有助于减少导通损耗,提升整体效率。
7. 支持宽温度范围操作,能够在 -40°C 至 +150°C 的环境下稳定运行。
该型号广泛应用于以下领域:
1. 工业电机驱动:用于控制大型电机的速度和扭矩。
2. 太阳能逆变器:将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
3. 不间断电源(UPS):提供稳定的电力供应,防止电网波动对设备造成影响。
4. 焊接设备:实现精确的电流控制以保证焊接质量。
5. 变频器:用于调节电机转速以提高能源利用效率。
6. 电动车充电站:进行高效的电能转换和管理。
GT40Q2L2B, FZ1200R12KE3